封装:
TO-92-3(2)
TO-226-3(1)
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型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
  • 描述:
    射频(RF)双极晶体管 NPN Epitaxial Transistor
    9291
    10-49
    0.8505
    50-99
    0.8064
    100-299
    0.7749
    300-499
    0.7560
    500-999
    0.7371
    1000-2499
    0.7182
    2500-4999
    0.6899
    ≥5000
    0.6836
  • 描述:
    Trans RF BJT NPN 20V 0.02A 3Pin TO-92 Ammo
    1250
    20-49
    0.2025
    50-99
    0.1875
    100-299
    0.1800
    300-499
    0.1740
    500-999
    0.1695
    1000-4999
    0.1665
    5000-9999
    0.1635
    ≥10000
    0.1605
  • 品类: MOS管
    描述:
    QFET® N 通道 MOSFET,高达 5.9A,Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
    5928
    10-99
    8.7360
    100-499
    8.2992
    500-999
    8.0080
    1000-1999
    7.9934
    2000-4999
    7.9352
    5000-7499
    7.8624
    7500-9999
    7.8042
    ≥10000
    7.7750

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